El director general de la empresa alemana Zeiss, Frank Rohmund, afirmó durante la conferencia SEMICON celebrada en Taiwán que existe una diferencia de 15 años entre sus sistemas ópticos para fotolitografía y los desarrollos más avanzados que posee China en la actualidad. Las declaraciones del ejecutivo marcan la posición del principal proveedor de componentes para la fabricación de microchips de última generación.
Pese a esta evaluación de la firma alemana, el sector tecnológico sigue de cerca las iniciativas del país asiático. En la ciudad de Shenzhen, la compañía Huawei coordina las pruebas de un prototipo de máquina de ultravioleta extremo (UVE) dentro de un laboratorio de alta seguridad, si bien el sistema todavía no produce circuitos integrados que resulten funcionales.
El consorcio chino y los plazos de desarrollo
El proyecto encarado en territorio chino moviliza a miles de ingenieros y articula el trabajo de varias instituciones del país. El Instituto de Tecnología de Harbin se ocupa del desarrollo de la fuente de luz, mientras que el Instituto de Óptica de Changchún trabaja en los sistemas ópticos. En tanto, la firma SMEE asume la integración final del equipo, con el respaldo de SiCarrier, una firma vinculada a Huawei y financiada por el Gobierno de Shenzhen.
Respecto a los plazos, el Gobierno chino fijó el objetivo de fabricar microchips mediante esta tecnología para el año 2028. Sin embargo, diversos analistas de la industria consideran que el año 2030 es una estimación más realista para lograr la producción.
Requisitos de precisión en la litografía UVE
Las ópticas de mayor complejidad desarrolladas por Zeiss hasta el momento están destinadas a los equipos UVE de alta apertura de la empresa ASML. En comparación, el prototipo que se encuentra en fase de pruebas en China no demanda elementos de semejante nivel de sofisticación.
En las máquinas de litografía UVE convencionales, la arquitectura óptica es determinante para trasladar la luz ultravioleta de 13,5 nanómetros de longitud de onda desde la fuente emisora hasta la máscara con el patrón geométrico del circuito. La fabricación de los espejos involucrados requiere una precisión absoluta, ya que cualquier mínima desviación altera el patrón sobre la oblea de silicio y deja inútiles a los procesadores.